半导体硅片切割打孔来图定制

联系人:张经理 硅片的分类： 硅片规格有多种分类方法，可以按照硅片直径：4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸；单晶生长方法：单晶硅片、多晶硅片；掺杂类型：N型、P型等参量和用途来划分种类。 硅片加工的具体加工内容 承接0.05mm-2mm各种激光切割、开孔钻孔、划线、开槽、异形切割、盲孔盲槽定制。 应用及市场 太阳能行业单晶硅、多晶硅、非晶硅带太阳能电池片和硅片的划片（切割、切片）。 晶圆是半导体产品与芯片的基础材料，半导体芯片产业的激光应用工艺将会越来越多被发明出来，对于高精密的芯片产品，非接触的光加工是 合适的方式。因此激光晶圆（硅片）切割的应用会越来越多。 1.激光切割、划片是非机械式的，属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其他损坏现象。 2.激光切割、划片采用的高光束质量的光纤激光器对芯片的电性影响较小，可以提高更高的切割成品率。 3.激光切割速度为150mm/s。切割速度较快。 4.激光可以切割厚度较薄的晶圆，可以胜任不同厚度的晶圆划片。 5.激光可以切割一些较为复杂的晶圆芯片，如六边形管芯等。 6.激光切割不需要去离子水，不存在刀具磨损问题，可连续24小时作业。 7.激光具有很好的兼容性，对于不同的晶圆片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。 激光属于无接触式加工，不对晶圆产生机械应力的作用，对晶圆损伤较小。由于激光在聚焦上的优点，聚焦点可小到微米数量级，从而对晶圆的微处理更具有优越性，可以进行小部件的加工；即使在不高的脉冲能量水平下，也能得到较高的能量密度，有效地进行材料加工。大多数材料吸收激光直接将硅材料气化，形成沟道。从而实现切割的目的因为光斑点较小， 低限度的炭化影响。 随着硅半导体集成电路的广泛应用，硅半导体集成电路都要用到晶圆，传统的晶圆切割方法，都是手工采用金刚石刀进行切割，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法，这种晶圆切割方法的耗材大，经常要更换刀具，切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大，不均匀，所能切割的材料单一，适用性差，效率低下。 因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对晶圆切割的位置进行准确定位，切割出来的晶圆芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强，可以避免薄晶圆因切割破裂